Транзисторы в сверхмалом низкопрофильном корпусе

NXP Semiconductors N.V. представили первые в индустрии транзисторы, выполненные в сверхмалом низкопрофильном 1.1 мм x 1 мм x 0.37 мм DFN корпусе. Новая серия транзисторов состоит из 25 различных типов МОП-транзисторов, включая транзисторы с низким RDSon сопротивлением и биполярных транзисторов общего назначения с выходным током до 3.2 А. Сочетание сверхмалого форм фактора и высокого значения КПД делает эти микросхемы идеальным решением задач управления питанием или переключения нагрузок в компактных устройствах, где размер и мощность являются ключевыми параметрами.

Новая линия продукции доступна в корпусах двух типов: однокристальный DFN1010D-3 (SOT1215) и двухкристальный DFN1010B-6 (SOT1216) (наименьший корпус, в котором возможно сочетание двух транзисторов). Эти корпуса способны рассеивать мощность до 1 Вт, а их контакты покрыты оловом, благодаря чему они отвечают строгим автомобильным стандартам, предлагая преимущества оптического контроля пайки, а также улучшение качества пайки по сравнению с обычными безвыводными корпусами. Микросхемы в DFN1010 корпусе обладают характеристиками не хуже, а иногда даже лучше, чем их аналоги в WL-CSP или в громоздких стандартных DFN, SMD корпусах, которые более чем в 8 раз превосходят DFN1010 по размерам.

Ключевые особенности:

  • Сверхмалый корпус 1.1 mm x 1 mm x 0.37 mm
  • Рассеиваемая мощность до 1 Вт
  • Покрытые оловом контакты для улучшения качества и удобства пайки
  • Одиночный и сдвоенные МОП-транзисторы (N-ch/P-ch)
  • Низкое значение RDSon сопротивления до 34 мОм
  • Ток стока до 3.2 A
  • Диапазон рабочего напряжения от 12 В до 80 В
  • Защита от электростатического разряда до 1 кВ
  • Низкое значение напряжения насыщения VCEsat до 70 мВ
  • Ток коллектора (IC) до 2 A, пиковый ток коллектора (ICM) до 3 A
  • VCEO 30 В и 60 В
  • AEC-Q101 квалификация
  • Сдвоенный NPN/PNP транзистор с интегрированными резисторами (100 мА, R1=R2=47 кОм / AEC-Q101 квалификация)

Заявка на получение образцов

Вы можете получить образцы микросхем под разработку ваших устройств.
Для этого заполните ниже форму заявки.

Организация
Название организации
Неверный Ввод
Почтовый адрес
Неверный Ввод
Телефон организации
Неверный Ввод
Контактное лицо
Ф.И.О. (*)
Заполните, пожалуйста, поле
E-mail (*)
Заполните, пожалуйста, поле
Моб.телефон (*)
Заполните, пожалуйста, поле
Дополнительные вопросы
Наберите символы с картинки

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных